[发明专利]压电式微加工超声换能器(PMUT)

权利要求书

1.一种压电式微加工超声换能器PMUT装置，包括：

基板；

边缘支承结构，所述边缘支承结构连接至所述基板；

膜，所述膜连接至所述边缘支承结构，使得在所述膜与所述基板之间限定有腔，所述膜被配置成允许以超声频率移动，所述膜包括：

压电层；以及

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极耦接至所述压电层的相对侧；

以及

内部支承结构，所述内部支承结构设置在所述腔内并且连接至所述基板和所述膜，其中，所述内部支承结构接触所述边缘支承结构。

2.根据权利要求1所述的PMUT装置，还包括第二内部支承结构，所述第二内部支承结构设置在所述腔内并且连接至所述基板和所述膜。

3.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述内部支承结构非中心地定位在所述腔内。

4.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述第一电极限定连续层。

5.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述第一电极是图案化层。

6.根据权利要求1所述的PMUT装置，所述膜还包括：

连接至所述第一电极的机械支承层。

7.根据权利要求6所述的PMUT装置，其中，所述机械支承层限定连续层。

8.根据权利要求6所述的PMUT装置，其中，所述机械支承层是图案化层。

9.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述压电层限定连续层。

10.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述压电层是图案化层。

11.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述第二电极延伸到所述腔中并且限定所述边缘支承结构与所述内部支承结构之间的区域。

12.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述内部支承结构连接至所述膜的所述压电层。

13.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述PMUT装置呈大致圆形，使得所述边缘支承结构和所述膜呈大致圆形。

14.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述PMUT装置呈大致方形，使得所述边缘支承结构和所述膜呈大致方形。

15.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一者通过所述内部支承结构电耦接。

16.根据权利要求1所述的PMUT装置，所述膜还包括第三电极，所述第三电极在所述压电层的与所述第一电极相对的一侧上耦接至所述压电层。

17.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述边缘支承结构连接至电位。

18.根据权利要求1所述的PMUT装置，其中，所述基板包括CMOS逻辑晶片。