[发明专利]复合退火和选择性沈积方法在审
| 申请号： | 201780025639.7 | 申请日： | 2017-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN109311052A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | J·W·梅斯;W·克纳平;R·格朗海德;A·辛格 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司;微电子研究中心 |
| 主分类号： | B05D3/02 | 分类号： | B05D3/02;B05D3/04;C23C8/00;C23C8/06;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/448;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张全信;赵蓉民 |
| 地址： | 荷兰，*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 揭露一种使用退火步骤及沈积步骤来形成膜的方法。所述方法包括用于在聚合物内诱发自组装或对齐的退火步骤。所述方法亦包括选择性沈积步骤以在聚合物上达成选择性沈积。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 聚合物 对齐 自组装 诱发 复合 | ||
【主权项】：
1.一种选择性地形成膜的方法，包括：在反应室中提供供处理的衬底，所述衬底具有设置在所述衬底上的至少一个聚合物层；对所述衬底执行退火步骤；以及通过将第一前体及第二前体依序脉冲至所述衬底上来执行膜沈积，所述膜沈积用以达成至少所述第一前体向所述至少一个聚合物层中的渗透，其中自所述反应室吹洗所述第一前体的及所述第二前体的过量部分；其中，在所述至少一个聚合物上，由所述第一前体形成膜。
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