[发明专利]复合退火和选择性沈积方法

权利要求书

1.一种选择性地形成膜的方法，包括：

在反应室中提供供处理的衬底，所述衬底具有设置在所述衬底上的至少一个聚合物层；

对所述衬底执行退火步骤；以及

通过将第一前体及第二前体依序脉冲至所述衬底上来执行膜沈积，所述膜沈积用以达成至少所述第一前体向所述至少一个聚合物层中的渗透，其中自所述反应室吹洗所述第一前体的及所述第二前体的过量部分；

其中，在所述至少一个聚合物上，由所述第一前体形成膜。

2.如权利要求1所述的选择性地形成膜的方法，其特征在于，在所述至少一个聚合物内，由渗透所述至少一个聚合物的所述第一前体形成膜。

3.如权利要求1所述的选择性地形成膜的方法，其特征在于，所述膜包含以下中的至少一者：氧化铝(Al₂O₃)、二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳氮化硅(SiCN)、氮化铝(AlN)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钨(W)、钴(Co)、二氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、二氧化锆(ZrO₂)、或二氧化铪(HfO₂)。

4.如权利要求2所述的选择性地形成膜的方法，其特征在于，所述膜包含以下中的至少一者：氧化铝(Al₂O₃)、二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳氮化硅(SiCN)、氮化铝(AlN)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钨(W)、钴(Co)、二氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、二氧化锆(ZrO₂)、或二氧化铪(HfO₂)。

5.如权利要求1所述的选择性地形成膜的方法，其特征在于，在所述退火步骤的期间，所述反应室的温度的范围介于100℃与400℃之间、优选地介于200℃与300℃之间、或更优选地为约250℃。

6.如权利要求1所述的选择性地形成膜的方法，其特征在于，在所述膜沈积的期间，所述反应室的温度的范围介于25℃与300℃之间、优选地介于70℃与90℃之间。

7.如权利要求1所述的选择性地形成膜的方法，其特征在于，所述至少一个聚合物包含以下中的至少一者：

聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚苯乙烯、聚(苯乙烯-嵌段-甲基丙烯酸甲酯)(PS-b-PMMA)、或极紫外光光阻。

8.如权利要求1所述的选择性地形成膜的方法，其中所述衬底包含第二聚合物。

9.如权利要求8所述的选择性地形成膜的方法，其特征在于，所述第二聚合物包括以下中的至少一者：

聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚苯乙烯、聚(苯乙烯-嵌段-甲基丙烯酸甲酯)(PS-b-PMMA)、或极紫外光光阻。

10.如权利要求1所述的选择性地形成膜的方法，其特征在于，吹洗所述第一前体的所述过量部分包括使用以下中的至少一者来吹洗所述反应室：氮气(N₂)、氩气(Ar)、氦气(He)、或惰性气体。

11.如权利要求1所述的选择性地形成膜的方法，其特征在于，执行所述膜沈积的步骤是重复地进行以形成具有所期望厚度的所述膜。

12.如权利要求1所述的选择性地形成膜的方法，其特征在于，所述执行所述膜沈积是重复地进行以形成具有所期望厚度的所述膜。