[发明专利]电子封装中的射频结构有效
| 申请号： | 201780024486.4 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN109076691B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | M·博纳佐利;R·加莱奥蒂;L·戈比 | 申请（专利权）人： | 朗美通技术英国有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H01P5/08;H01R24/50 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 蒋爱花;林治辰 |
| 地址： | 英国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种射频过渡组件(300)，所述射频过渡组件用于实现电子器件的射频传输层(301)和电连接(317)至所述射频传输层(301)的导体(309)之间的射频过渡。所述导体(309)大体垂直于所述射频传输层(301)延伸。所述组件包括位于所述射频传输层的边缘附近的开口式同轴结构(313)。所述开口式同轴结构(313)包括延伸穿过其中的空腔(315)以用于容纳所述导体(309)。所述空腔(315)包括面向所述射频传输层(301)的边缘的开口，以便引导电磁辐射朝向所述射频传输层(301)。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 封装 中的 射频 结构 | ||
【主权项】：
1.一种射频过渡组件，所述射频过渡组件用于实现电子器件的射频传输层和导体之间的射频过渡，所述导体大体垂直于所述射频传输层延伸并电连接至所述射频传输层，所述组件包括：开口式同轴结构，所述开口式同轴结构邻接所述射频传输层的边缘定位，并且所述开口式同轴结构包括延伸穿过所述开口式同轴结构的空腔以用于容纳所述导体，所述空腔包括面向所述射频传输层的所述边缘的开口，以便引导电磁辐射朝向所述射频传输层。
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