[发明专利]电子封装中的射频结构

权利要求书

1.一种射频过渡组件，所述射频过渡组件用于实现电子器件的射频传输层和导体之间的射频过渡，所述导体大体垂直于所述射频传输层延伸并电连接至所述射频传输层，所述组件包括：

开口式同轴结构，所述开口式同轴结构邻接所述射频传输层的边缘定位，并且所述开口式同轴结构包括延伸穿过所述开口式同轴结构的空腔以用于容纳所述导体，所述空腔包括面向所述射频传输层的所述边缘的开口，以便引导电磁辐射朝向所述射频传输层；所述开口式同轴结构的高度相对于所述导体而言等于或大于所述空腔的半径。

2.根据权利要求1所述的组件，其中，所述开口式同轴结构的所述空腔具有对应于圆形节段的横截面。

3.根据权利要求1或2所述的组件，其中，所述开口式同轴结构的所述空腔的横截面包围大于180°的角度。

4.根据权利要求1所述的组件，其中，所述开口式同轴结构的所述空腔的横截面包围介于180°至340°之间的角度。

5.根据权利要求4所述的组件，其中，所述开口式同轴结构的所述空腔的横截面包围240°的角度。

6.根据权利要求1所述的组件，进一步包括位于所述开口式同轴结构和所述射频传输层的一个或多个接地区域之间的一个或多个接地互连件。

7.根据权利要求1所述的组件，其中，所述开口式同轴结构的至少一部分在所述射频传输层的平面中延伸。

8.根据权利要求1所述的组件，其中，所述导体的与所述射频传输层相邻的端部通过所述开口式同轴结构的在与所述导体大体垂直的方向上延伸的部分包围在所述开口式同轴结构的所述空腔内。

9.根据权利要求1所述的组件，其中，所述开口式同轴结构进一步包括与所述射频传输层相邻的一个或多个阶梯式接地区域，所述一个或多个阶梯式接地区域与所述射频传输层的一个或多个接地区域大致共面；所述射频过渡组件进一步包括位于所述一个或多个阶梯式接地区域和所述射频传输层的一个或多个接地区域之间的一个或多个接地互连件。

10.一种用于电子器件的封装，所述封装包括权利要求1所述的射频过渡组件。

11.一种电子光学调制器，所述电子光学调制器包括权利要求1所述的射频过渡组件。

12.一种电子器件，所述电子器件包括：

封装主体；

射频基板，所述射频基板安装在所述封装主体的面上；

射频传输层，所述射频传输层安装在所述射频基板上，使得所述射频基板在所述射频传输层和所述封装主体之间形成层；

导体，所述导体电连接至所述射频传输层，并且所述导体在大致垂直于所述射频传输层的方向上延伸穿过所述封装主体；

开口式同轴结构，所述开口式同轴结构安装在所述封装主体的与所述射频传输层的边缘相邻的面上，并且所述开口式同轴结构包括延伸穿过所述开口式同轴结构的空腔以用于容纳所述导体，所述空腔包括面向所述射频传输层的所述边缘的开口，以便引导电磁辐射朝向所述射频传输层；所述开口式同轴结构的高度相对于所述导体而言等于或大于所述空腔的半径。