[发明专利]物理量测定装置及其制造方法、以及物理量测定元件有效
| 申请号： | 201780022928.1 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN109154531B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 青柳拓也;内藤孝;三宅龙也;芝田瑞纪;小贯洋;寺田大介;小松成亘 | 申请（专利权）人： | 日立汽车系统株式会社 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;G01D21/00;H01L29/84 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种使接合层的接合温度降低到不影响半导体芯片动作的温度，确保半导体芯片和基台的绝缘性的物理量测定装置。包括：基台(隔膜(14b))；基于作用于基台的应力来测定物理量的半导体芯片(应变检测元件(30))；将半导体芯片接合到基台的接合层(20)。接合层(20)具有：接合于半导体芯片的第一接合层(21)；接合于基台的第二接合层(22)；配置于第一接合层(21)和第二接合层(22)之间的绝缘基材(23)。第一接合层(21)及第二接合层(22)包含玻璃。第一接合层(21)的热膨胀系数为第二接合层(22)的热膨胀系数以下，第一接合层(21)的软化点为半导体芯片的耐热温度以下，第二接合层(22)的软化点为第一接合层(21)的软化点以下。 | ||
| 搜索关键词： | 物理量 测定 装置 及其 制造 方法 以及 元件 | ||
【主权项】：
1.一种物理量测定装置，包括：基台；半导体芯片，其基于作用于该基台的应力来测定物理量；接合层，其将该半导体芯片接合到所述基台，所述物理量测定装置的特征在于，所述接合层具有：第一接合层，所述第一接合层接合于所述半导体芯片；第二接合层，所述第二接合层接合于所述基台；绝缘基材，所述绝缘基材配置于所述第一接合层和所述第二接合层之间，所述第一接合层以及所述第二接合层包含玻璃，所述第一接合层的热膨胀系数为所述第二接合层的热膨胀系数以下，所述第一接合层的软化点为所述半导体芯片的耐热温度以下，所述第二接合层的软化点为所述第一接合层的软化点以下。
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