[发明专利]物理量测定装置及其制造方法、以及物理量测定元件

权利要求书

1.一种物理量测定装置，包括：

基台；

半导体芯片，其基于作用于该基台的应力来测定物理量；

接合层，其将该半导体芯片接合到所述基台，

所述物理量测定装置的特征在于，

所述接合层具有：第一接合层，所述第一接合层接合于所述半导体芯片；第二接合层，所述第二接合层接合于所述基台；绝缘基材，所述绝缘基材配置于所述第一接合层和所述第二接合层之间，

所述第一接合层以及所述第二接合层包含玻璃，

所述第一接合层的热膨胀系数为所述第二接合层的热膨胀系数以下，

所述第一接合层的软化点为所述半导体芯片的耐热温度以下，

所述第二接合层的软化点为所述第一接合层的软化点以下，

所述第一接合层以及所述第二接合层含有热膨胀系数比所述玻璃低的填充材料，

所述第一接合层的所述填充材料的含有率比所述第二接合层的所述填充材料的含有率高。

2.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，

所述玻璃包含钒。

3.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，

所述第一接合层的所述填充材料的含有率为30体积％以上且40体积％以下。

4.如权利要求2所述的物理量测定装置，其特征在于，

所述第一接合层中包含的所述玻璃包含40～50重量％的V₂O₅、20～30重量％的TeO₂、5.8～15重量％的P₂O₅、0～15重量％的Fe₂O₃、0～10重量％的WO₃、以及0～10重量％的ZnO，

所述第二接合层中包含的所述玻璃包含37.2～50重量％的V₂O₅、20～30重量％的TeO₂、0～15重量％的P₂O₅、0～15重量％的Fe₂O₃、0～10重量％的WO₃、0～26重量％的BaO、0～10重量％的ZnO、以及0～5重量％的碱金属氧化物。

5.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，

所述绝缘基材的热膨胀系数为38×10^-7/℃以上且100×10^-7/℃以下。

6.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，

所述绝缘基材的原材料为玻璃、硅、或者氧化铝。

7.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，

所述绝缘基材的厚度为5μm以上且500μm以下。

8.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，

所述基台以及所述半导体芯片在用于接合所述接合层的表面上具有金属膜，该金属膜包含从由Al、Ni、Ti、Mo构成的组中选择的至少一种。