[发明专利]半导体制造用处理液、收容有半导体制造用处理液的收容容器、图案形成方法及电子器件的制造方法有效
| 申请号： | 201780021021.3 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN109071104B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 清水哲也;上村哲也 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | B65D88/02 | 分类号： | B65D88/02;G03F7/30;H01L21/027;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹阳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够抑制颗粒等缺陷的产生且能够制造微细的抗蚀剂图案或微细的半导体元件的半导体制造用处理液，另外，提供一种收容有该半导体制造用处理液的收容容器。另外，本发明的目的在于提供一种使用上述半导体制造用处理液的图案形成方法及电子器件的制造方法。本发明的实施方式所涉及的收容容器为具备收容有半导体制造用处理液的收容部的收容容器。上述半导体制造用处理液含有选自包括Al、Ca、Cr、Co、Cu、Fe、Pb、Li、Mg、Mn、Ni、K、Ag、Na及Zn的金属物种中的一种或两种以上的金属原子，且以上述半导体制造用处理液的总质量为基准，包含上述金属原子的至少一种的粒子性金属的合计含有率为0.01～100质量ppt。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 用处 收容 容器 图案 形成 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种收容容器，其具备收容有半导体制造用处理液的收容部，所述半导体制造用处理液含有选自Cu、Fe及Zn中的一种或两种以上的金属原子，且以所述半导体制造用处理液的总质量为基准，包含所述金属原子的至少一种的粒子性金属的合计含有率为0.01质量ppt～100质量ppt。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社，未经富士胶片株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780021021.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
