[发明专利]半导体制造用处理液、收容有半导体制造用处理液的收容容器、图案形成方法及电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种收容容器，其具备收容有半导体制造用处理液的收容部，所述半导体制造用处理液含有选自Cu、Fe及Zn中的一种或两种以上的金属原子，且以所述半导体制造用处理液的总质量为基准，包含所述金属原子的至少一种的粒子性金属的合计含有率为0.01质量ppt～100质量ppt。

2.根据权利要求1所述的收容容器，其中，

所述粒子性金属的质量通过SP-ICP-MS法来测定。

3.根据权利要求1或2所述的收容容器，其中，

在填充所述半导体制造用处理液之前，与所述半导体制造用处理液接触的所述收容部的内壁使用相对于所述内壁的接触角为10度以上且120度以下的清洗液进行清洗。

4.根据权利要求3所述的收容容器，其中，

所述清洗液为超纯水或包含所述半导体制造用处理液中所含的成分中的至少一种的液体。

5.根据权利要求1或2所述的收容容器，其中，

与所述半导体制造用处理液接触的所述收容部的内壁的至少一部分由含有选自聚乙烯、聚丙烯、聚四氟乙烯及全氟烷氧基烷烃中的至少一种的材料形成。

6.根据权利要求1或2所述的收容容器，其中，

与所述半导体制造用处理液接触的所述收容部的内壁的至少一部分由含有选自不锈钢、哈氏合金、英高镍及蒙乃尔合金中的至少一种的材料形成。

7.根据权利要求1或2所述的收容容器，其中，

与所述半导体制造用处理液接触的所述收容部的内壁的至少一部分由含有选自不锈钢、哈氏合金、英高镍及蒙乃尔合金中的至少一种的材料形成，且所述内壁的距离最表面的深度为1nm的部位的由Cr/Fe所表示的质量比为1～3。

8.根据权利要求1或2所述的收容容器，其中，

空隙部在收容有所述半导体制造用处理液的所述收容部中所占的比例为50体积％～0.01体积％。

9.根据权利要求1或2所述的收容容器，其中，

收容有所述半导体制造用处理液的所述收容部的空隙部填充有直径0.5μm以上的颗粒的数为10个/升以下的气体。

10.根据权利要求1或2所述的收容容器，其中，

收容有所述半导体制造用处理液的所述收容部的空隙部填充有惰性气体。

11.根据权利要求1或2所述的收容容器，其中，

所述半导体制造用处理液为显影液或冲洗液。

12.根据权利要求1或2所述的收容容器，其中，

所述半导体制造用处理液包含季铵盐。

13.根据权利要求1或2所述的收容容器，其中，

所述半导体制造用处理液包含选自乙酸丁酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、异丙醇、乙醇及甲基异丁基甲醇中的至少一种。

14.一种半导体制造用处理液，其含有选自Cu、Fe及Zn中的一种或两种以上的金属原子，且相对于所述半导体制造用处理液的总质量，包含所述金属原子的至少一种的粒子性金属的合计含有率为0.01质量ppt～100质量ppt。

15.根据权利要求14所述的半导体制造用处理液，其中，

所述粒子性金属的质量通过SP-ICP-MS法来测定。

16.根据权利要求14或15所述的半导体制造用处理液，其为显影液或冲洗液。

17.根据权利要求14或15所述的半导体制造用处理液，其包含季铵盐。