[发明专利]具有动态上拉削弱写入辅助电路的存储器元件在审
| 申请号： | 201780020754.5 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109416923A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | R·库马尔;W·Y·科伊 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C7/12;G11C5/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了具有存储器单元阵列的集成电路。每个存储器单元可以包括至少一对交叉耦合的反相器、写存取晶体管和可选地单独的读端口。每个存储器单元中的交叉耦合反相器可以具有正电源端子。沿着阵列中的给定列的每个存储器单元的正电源端子可以耦合到相应的上拉晶体管。上拉晶体管可以从上拉削弱控制电路接收控制信号。控制信号可以在写入操作期间暂时升高，否则可以被驱动回到地面，以帮助优化读取性能。上拉削弱控制电路可以使用N沟道晶体管或电阻器的链来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器单元 上拉 上拉晶体管 正电源端子 控制电路 削弱 存储器单元阵列 交叉耦合反相器 接收控制信号 写入操作期间 写入辅助电路 存储器元件 存取晶体管 读取性能 交叉耦合 控制信号 电阻器 读端口 反相器 耦合到 可选 集成电路 升高 驱动 优化 帮助 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：一对位线；以及一列存储器单元，其耦合到所述一对位线，其中，所述一列存储器单元列中的每个存储器单元包括具有正电源端子的交叉耦合的反相器，并且其中，所述一列存储器单元列中的每个存储器单元的所述正电源端子仅耦合到第一上拉晶体管，所述第一上拉晶体管具有接收可调控制信号的栅极端子。
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