[发明专利]具有混合扩散间断隔离沟槽的金属氧化物半导体单元器件架构

摘要

一种标准单元IC包括MOS器件的pMOS区(316)中的pMOS晶体管和该MOS器件的nMOS区(318)中的nMOS晶体管。该pMOS区和该nMOS区在第一单元边缘(304a)和第二单元边缘(304b)之间延伸。该标准单元IC进一步包括位于第一单元边缘与第二单元边缘之间的内部区域中的至少一个单扩散间断(312)，其跨该pMOS区和该nMOS区延伸以将该pMOS区分隔成pMOS子区以及将该nMOS区分隔成nMOS子区。该标准单元IC包括第一单元边缘(304a)处的第一双扩散间断部分(314')和第二单元边缘(304b)处的第二双扩散间断部分(314)。

主权项

1.一种标准单元集成电路，包括：所述标准单元集成电路的p型金属氧化物半导体MOS pMOS区中的多个pMOS晶体管，所述pMOS区在第一单元边缘和与所述第一单元边缘相对的第二单元边缘之间延伸；所述标准单元集成电路的n型MOS nMOS区中的多个nMOS晶体管，所述nMOS区在所述第一单元边缘和所述第二单元边缘之间延伸；至少一个单扩散间断，其位于所述第一单元边缘与所述第二单元边缘之间的内部区域中且跨所述pMOS区和所述nMOS区延伸以将所述pMOS区分隔成pMOS子区以及将所述nMOS区分隔成nMOS子区；在所述第一单元边缘处并且在沿所述第一单元边缘定位的第一虚设栅极互连之下延伸的第一双扩散间断部分；以及在所述第二单元边缘处并且在沿所述第二单元边缘定位的第二虚设栅极互连之下延伸的第二双扩散间断部分。