[发明专利]集落形成培养基及其用途有效
| 申请号： | 201780017613.8 | 申请日： | 2017-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108884441B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | I·斯卢克文;G·乌伊尼什;D·黑;D·德里耶 | 申请（专利权）人： | 洋蓟治疗有限公司 |
| 主分类号： | C12N5/0775 | 分类号： | C12N5/0775;A61K35/28;A61P37/06;A61P37/02;A61P25/00;A61P19/00;A61P9/00;A61P9/10;A61P1/00 |
| 代理公司： | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于产生间充质干细胞(MSC)的方法，所述方法包括在含氧量正常的条件下在包含LiCl和FGF2但不包含PDGF的间充质集落形成培养基(M‑CFM)中培养原始中胚层细胞持续足以形成间充质集落的时间，和贴壁培养所述间充质集落以产生所述MSC，其中相对于不在所述M‑CFM中产生的MSC，所述MSC具有卓越的T细胞免疫抑制特性。本发明还涉及通过所述方法产生的MSC，通过所述方法产生的MSC的群体，包含通过所述方法产生的MSC的治疗性组合物，M‑CFM和浓缩形式的M‑CFM，以及所述MSC或群体在治疗疾病中的方法和用途。 | ||
| 搜索关键词： | 集落 形成 培养基 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.一种间充质干细胞(MSC)，其表达miR‑145‑5p、miR‑181b‑5p和miR‑214‑3p，但是不表达miR‑127‑3p或miR‑299‑5p。
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