[发明专利]集落形成培养基及其用途

权利要求书

1.一种用于产生间充质干细胞(MSC)的方法，所述方法包括：

(a)在含氧量正常的条件下，在包含LiCl和FGF2但不包含PDGF、BMP4和激活素A的间充质集落形成培养基(M-CFM)中培养原始中胚层细胞持续足以形成间充质集落的时间；和

(b)贴壁培养(a)的间充质集落以产生所述MSC，

其中，相对于不在所述M-CFM中产生的参照MSC，(b)的MSC具有卓越的T细胞免疫抑制特性，

其中所述原始中胚层细胞是具有间充质成血管细胞(MCA)潜能的原始中胚层细胞，并且其中所述具有MCA潜能的原始中胚层细胞具有^EMHlin^-KDR⁺APLNR⁺PDGFRα⁺表型。

2.权利要求1的方法，其中所述足以形成间充质集落的时间为8天至14天。

3.权利要求1的方法，其中所述足以形成间充质集落的时间为10天至14天。

4.权利要求1的方法，其中所述足以形成间充质集落的时间为11至13天。

5.权利要求1的方法，其中所述足以形成间充质集落的时间为12天。

6.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述MSC的T细胞免疫抑制特性是相对于通过包括以下步骤的方法产生的参照MSC确定的：

(a’)在含氧量正常的条件下，在包含FGF2和任选的PDGF但不包含LiCl的培养基中培养原始中胚层细胞持续足以形成间充质集落的时间；和

(b’)贴壁培养(a’)的间充质集落以产生所述参照MSC。

7.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述MSC的T细胞免疫抑制特性是相对于在含氧量低的条件下在包含FGF2、BMP4、激活素A和LiCl的分化培养基中持续2天由从PSC分化的原始中胚层细胞产生的参照MSC确定的。

8.权利要求1至5中任一项的方法，其中T细胞免疫抑制特性包括抑制CD4⁺T辅助淋巴细胞的增殖。

9.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述M-CFM包含1mM LiCl。

10.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述M-CFM包含5ng/mL至100ng/mL FGF2。

11.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述M-CFM包含10ng/mL至50ng/mL FGF2。

12.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述M-CFM包含10ng/mL FGF2。

13.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述M-CFM包含20ng/mL FGF2。

14.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述M-CFM包含1mM LiCl和10ng/mL FGF2。

15.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述M-CFM包含1mM LiCl和20ng/mL FGF2。

16.权利要求1至5中任一项的方法，其进一步包括，在培养所述原始中胚层细胞之前，使多能干细胞(PSC)分化成原始中胚层细胞，其中使多能干细胞(PSC)分化成原始中胚层细胞包括以下步骤：

在低含氧量的条件下在包含FGF2、BMP4、激活素A和LiCl的分化培养基中培养所述PSC2天以形成所述原始中胚层；和

用所述包含LiCl和FGF2但不包含PDGF的M-CFM替代所述分化培养基。