[发明专利]硒光电倍增管及其制造方法有效
| 申请号： | 201780015816.3 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108886071B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 阿米尔侯赛因·戈登;赵伟 | 申请（专利权）人： | 纽约州立大学研究基金会 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0376;H01L31/054 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 李德魁 |
| 地址： | 美国纽约州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种场成形多井光电倍增管及其制造的方法。光电倍增管包括场成形多井雪崩探测器，包括下绝缘体、a‑Se光电导层和上绝缘体。该a‑Se光电导层位于下绝缘体和上绝缘体之间。沿光电倍增管的长度设置光相互作用区域、雪崩区域和收集区域，并且光相互作用区域和收集区域位于雪崩区域的相对侧。 | ||
| 搜索关键词： | 光电倍增管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有场成形多井雪崩探测器的光电倍增管，包括：下绝缘体；a‑Se光电导层；和上绝缘体，其中，所述a‑Se光电导层在所述下绝缘体和所述上绝缘体之间，其中，沿光电倍增管的长度，设置光相互作用区域、雪崩区域和收集区域，并且其中光相互作用区域和收集区域位于雪崩区域的相对侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
