[发明专利]隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器有效
| 申请号： | 201780015599.8 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110024149B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 唐振尧;佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TMR元件，其具备：磁隧道接合部、覆盖磁隧道接合部的侧面的侧壁部、以及设置于侧壁部内的微粒子区域，侧壁部包含绝缘材料，微粒子区域包含上述绝缘材料和分散于该绝缘材料内的多个磁性金属微粒子，微粒子区域与磁隧道接合部并联地电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 磁阻 效应 元件 磁存储器 内置 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种隧道磁阻效应元件，其具备：磁隧道接合部、覆盖所述磁隧道接合部的侧面的侧壁部、以及设置于所述侧壁部内的微粒子区域，所述侧壁部包含绝缘材料，所述微粒子区域包含所述绝缘材料和分散于该绝缘材料内的多个磁性金属微粒子，所述微粒子区域与所述磁隧道接合部并联地电连接。
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