[发明专利]隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器

权利要求书

1.一种隧道磁阻效应元件，其具备：

磁隧道接合部、覆盖所述磁隧道接合部的侧面的侧壁部、以及设置于所述侧壁部内的微粒子区域，

所述侧壁部包含绝缘材料，

所述微粒子区域包含所述绝缘材料和分散于该绝缘材料内的多个磁性金属微粒子，

所述微粒子区域与所述磁隧道接合部并联地电连接。

2.根据权利要求1所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述微粒子区域的厚度为0.2nm以上且50nm以下。

3.根据权利要求1所述的隧道磁阻效应元件，其中，

一个所述磁性金属微粒子与另一个所述磁性金属微粒子的距离为0.2nm以上且10nm以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述磁性金属微粒子的粒径为0.2nm以上且10nm以下。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述磁性金属微粒子含有选自Fe、Co及Ni中的至少一种元素。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述磁隧道接合部具有：参照层、叠层于所述参照层上的隧道势垒层、以及叠层于所述隧道势垒层上的磁化自由层。

7.根据权利要求6所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述磁化自由层的面积比所述隧道势垒层的面积更小。

8.根据权利要求6所述的隧道磁阻效应元件，其中，

还具备：

设置于所述磁隧道接合部的所述参照层下的非磁性层、

设置于所述非磁性层下的钉扎层、以及

设置于所述钉扎层下的接触层，

所述参照层经由所述非磁性层与所述钉扎层形成反铁磁性耦合，

所述磁化自由层的面积比所述接触层的面积更小。

9.一种磁存储器，其具备权利要求1～8中任一项所述的隧道磁阻效应元件作为存储元件。

10.一种内置型存储器，其具备权利要求9所述的磁存储器。