[发明专利]用于具有溅射接触层的有机半导体器件的系统和方法在审
| 申请号： | 201780014849.6 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN109075253A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | S.R.哈蒙德;M.F.A.M.范赫斯特 | 申请（专利权）人： | 太阳视窗技术公司;可持续能源联盟有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/44 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄涛;申屠伟进 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于具有溅射接触层的有机半导体器件的系统和方法。在一个实施方案中，一种有机半导体器件包括：第一接触层(140)，所述第一接触层包括第一溅射沉积透明导电氧化物；电子传输层(130)，所述电子传输层与所述第一接触层接合；第二接触层(110)，所述第二接触层包括第二溅射沉积透明导电氧化物；空穴传输层，所述空穴传输层与所述第二接触层接合；以及有机半导体有源层(120)，所述有机半导体有源层具有面向所述电子传输层的第一侧以及面向所述空穴传输层的相对的第二侧；其中所述电子传输层或所述空穴传输层包括缓冲传输层。 | ||
| 搜索关键词： | 接触层 电子传输层 空穴传输层 有机半导体器件 有机半导体有源层 透明导电氧化物 溅射沉积 接合 溅射 传输层 缓冲 | ||
【主权项】：
1.一种有机半导体器件，所述器件包括：第一接触层，所述第一接触层包括第一溅射沉积透明导电氧化物；电子传输层，所述电子传输层与所述第一接触层接合；第二接触层，所述第二接触层包括第二溅射沉积透明导电氧化物；空穴传输层，所述空穴传输层与所述第二接触层接合；以及有机半导体有源层，所述有机半导体有源层具有面向所述电子传输层的第一侧以及面向所述空穴传输层的相对的第二侧；其中所述电子传输层或所述空穴传输层包括缓冲传输层。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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