[发明专利]用于具有溅射接触层的有机半导体器件的系统和方法

权利要求书

1.一种有机半导体器件，所述器件包括：

第一接触层，所述第一接触层包括第一溅射沉积透明导电氧化物；

电子传输层，所述电子传输层与所述第一接触层接合；

第二接触层，所述第二接触层包括第二溅射沉积透明导电氧化物；

空穴传输层，所述空穴传输层与所述第二接触层接合；以及

有机半导体有源层，所述有机半导体有源层具有面向所述电子传输层的第一侧以及面向所述空穴传输层的相对的第二侧；

其中所述电子传输层或所述空穴传输层包括缓冲传输层。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述缓冲传输层包括透明聚合物材料、半透明聚合物材料、透明氧化物材料或半透明氧化物材料。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述有机半导体有源层包括有机本体异质结结构或双层结构。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述有机半导体有源层包括有机本体异质结吸收层。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述有机半导体有源层包括有机发射电致发光层。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一溅射沉积透明导电氧化物和所述第二溅射沉积透明导电氧化物均包括溅射沉积氧化铟锌(IZO)。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一溅射沉积透明导电氧化物或所述第二溅射沉积透明导电氧化物中的至少一个包括以下各项中的至少一项：

溅射氧化铟锌(IZO)；

溅射氧化铟锡(ITO)；

溅射铝掺杂氧化锌(AZO)；或者

溅射镓掺杂氧化锌(GZO)。

8.根据权利要求1所述的器件，其还包括衬底层，所述衬底层与所述第一接触层或所述第二接触层相邻。

9.一种用于制造有机半导体器件的方法，所述方法包括：

在所述有机半导体器件的有机半导体有源层上施加缓冲传输层；以及

将导电材料层溅射沉积到所述缓冲传输层上。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述有机半导体有源层包括有机本体异质结结构或双层结构。

11.根据权利要求9所述的方法，其中施加所述缓冲传输层包括向所述有机半导体有源层施加透明或半透明聚合物材料、或者透明或半透明氧化物材料。

12.根据权利要求9所述的方法，其中施加所述缓冲传输层包括气相沉积或溶液沉积所述缓冲传输层。

13.根据权利要求9所述的方法，其中溅射沉积所述导电材料层进一步包括：

将透明导电氧化物溅射沉积到所述缓冲传输层上。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述导电材料层包括溅射氧化铟锌(IZO)。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述导电材料层包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、铝掺杂氧化锌(AZO)中的一种；或者镓掺杂氧化锌(GZO)。

16.根据权利要求9所述的方法，其还包括：

将背接触层溅射沉积到衬底上；

将电荷传输层沉积在所述背接触层上；以及

将所述有机半导体有源层沉积在所述电荷传输层上。