[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
| 申请号: | 201780013898.8 | 申请日: | 2017-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN108701605B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
| 发明(设计)人: | 金松泰范;中井仁司;岩田智巳 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 在上表面(91)形成有结构体的基板(9)的处理中,在上表面(91)上保持有机溶剂的液膜以使有机溶剂填满结构体中的间隙之后,进行通过填充剂的供给而用填充剂取代该有机溶剂的处理、及除去附着于基板(9)的外缘部的填充剂的处理。将形成于防溅部(25)的内侧面与基板(9)的外缘部之间的环状的最小间隙作为环状间隙,以使前者的处理中的环状间隙的宽度较后者的处理中的该宽度变大的方式,使防溅部(25)升降。由此,在保持液膜时,使基板(9)的外缘部附近的气体的流速降低,以抑制液膜的崩溃等,且在清洗基板(9)的外缘部时,使从外缘部附近朝向环状间隙的气体的流速增大,以抑制从基板(9)飞散的清洗液等返回基板(9)。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,处理在表面形成有结构体的基板,其中,具备:a)工序,通过在具有沿上下方向直径不同的部位的筒状的防溅部的内侧设置的基板保持旋转机构,将在表面形成有结构体的基板以上述表面朝向上方的方式保持为实质上水平的姿势;b)工序,朝上述基板的上述表面供给规定的溶剂,且在上述表面上保持上述溶剂的液膜,用上述溶剂填满上述表面的上述结构体中的间隙;c)工序,朝在上述b)工序中形成的上述液膜供给规定的处理液,且用上述处理液取代存在于上述结构体中的上述间隙的上述溶剂;d)工序,使上述基板旋转,从上述基板除去上述溶剂及多余的上述处理液;以及e)工序,一面使上述基板旋转,一面朝上述基板的外缘部供给规定的清洗液,除去附着于上述外缘部的上述处理液;以使上述c)工序中的形成在上述防溅部的内侧面与上述基板的上述外缘部之间的环状的最小间隙的宽度,较上述e)工序中的上述最小间隙的宽度变大的方式,使上述防溅部相对于上述基板旋转保持机构升降。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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