[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

说明书

在上表面(91)形成有结构体的基板(9)的处理中，在上表面(91)上保持有机溶剂的液膜以使有机溶剂填满结构体中的间隙之后，进行通过填充剂的供给而用填充剂取代该有机溶剂的处理、及除去附着于基板(9)的外缘部的填充剂的处理。将形成于防溅部(25)的内侧面与基板(9)的外缘部之间的环状的最小间隙作为环状间隙，以使前者的处理中的环状间隙的宽度较后者的处理中的该宽度变大的方式，使防溅部(25)升降。由此，在保持液膜时，使基板(9)的外缘部附近的气体的流速降低，以抑制液膜的崩溃等，且在清洗基板(9)的外缘部时，使从外缘部附近朝向环状间隙的气体的流速增大，以抑制从基板(9)飞散的清洗液等返回基板(9)。

技术领域

本发明涉及一种基板处理方法及基板处理装置。

背景技术

以往，在半导体基板(以下，简称为“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置对基板实施各种各样的处理。例如，通过相对表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给药液，对基板的表面进行蚀刻等的处理。在供给药液之后，还进行相对基板供给纯水以除去表面的药液的冲洗处理及使基板高速旋转而除去表面的纯水的干燥处理。

在基板的表面形成有多个微细结构体要素的集合即结构体的情况下，若依序进行上述冲洗处理及干燥处理，则在干燥途中，在相邻的两个结构体要素之间形成纯水的液面。在该情况下，有可能因作用于结构体要素的纯水的表面张力而造成结构体要素倒塌。因此，提出有如下方法：通过将填充剂填充于结构体的间隙内(结构体要素之间)，且以干式蚀刻等使固化的填充剂升华，以防止在干燥处理中结构体要素倒塌。

另外，在日本特开平11-87226号公报中，揭示有如下方法：在通过风扇过滤单元向围绕于基板周围的杯供给下降气流(downflow)的基板显影装置中，在向基板供给显影液时，停止进行吸气排气。根据该方法，形成在基板的主表面上的显影液层不会产生起伏，进而可提高显影处理的均匀性。

但是，在基板处理装置中，在将填充剂填充于基板的表面上的结构体的间隙时，以通过筒状的防溅部围绕基板的周围的状态，向表面供给填充剂。并且，为了将填充剂适当地填充于结构体的间隙内，需要使填充剂等的液膜在基板的表面上保持恒定时间。此时，因用以防止尘粒等附着的下降气流通过基板的外缘部与防溅部之间的间隙而可能会引起如下情况：在基板的外缘部，流过表面附近的气体的流速变得过高。该情况下，会产生液膜崩溃(在粘性高的填充剂中，可视作液膜局部剥离)或厚度均匀性降低。

另一方面，由于附着于基板的外缘部的不需要的填充剂污染搬送机构，因此通过仅相对外缘部供给清洗液而将其除去。此时，由于高速旋转基板，因此在清洗液等飞散时，容易变成水雾并漂浮。因此，还要求抑制这种清洗液等的水雾返回基板。

发明内容

发明所要解决的问题

本发明系着眼在一种处理表面形成有结构体的基板的基板处理方法，其目的在于，在基板上保持液膜时，抑制液膜的崩溃等，并在清洗基板的外缘部时，抑制从基板飞散的清洗液等返回基板。

本发明的基板处理方法，其中，包含：a)工序，通过在具有沿上下方向直径不同的部位的筒状的防溅部的内侧设置的基板保持旋转机构，将在表面形成有结构体的基板以上述表面朝向上方的方式保持为实质上水平的姿势；b)工序，朝上述基板的上述表面供给规定的溶剂，且在上述表面上保持上述溶剂的液膜，用上述溶剂填满上述表面的上述结构体中的间隙；c)工序，朝在上述b)工序中形成的上述液膜供给规定的处理液，且用上述处理液取代存在于上述结构体中的上述间隙的上述溶剂；d)工序，使上述基板旋转，从上述基板除去上述溶剂及多余的上述处理液；及e)工序，一面使上述基板旋转，一面朝上述基板的外缘部供给规定的清洗液，除去附着于上述外缘部的上述处理液，以使上述c)工序中的形成在上述防溅部的内侧面与上述基板的上述外缘部之间的环状的最小间隙的宽度，较上述e)工序中的上述最小间隙的宽度变大的方式，使上述防溅部相对于上述基板保持旋转机构升降。