[发明专利]半导体加工用胶粘带、以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780012489.6 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108701601B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 富永知亲;堀米克彦 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09J7/20;C09J133/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体加工用胶粘带是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于所述基材的一面的缓冲层、以及设置于所述基材的另一面的粘合剂层，半导体加工用胶粘带的胶带总厚度为160μm以下，且所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且对于半导体晶片的剥离力为1000mN/50mm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工用 胶粘带 以及 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体加工用胶粘带，其是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者在半导体晶片上形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于所述基材的一面的缓冲层、以及设置于所述基材的另一面的粘合剂层，半导体加工用胶粘带的胶带总厚度为160μm以下，且所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且对于半导体晶片的剥离力为1000mN/50mm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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