[发明专利]半导体加工用胶粘带、以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明的半导体加工用胶粘带是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于所述基材的一面的缓冲层、以及设置于所述基材的另一面的粘合剂层，半导体加工用胶粘带的胶带总厚度为160μm以下，且所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且对于半导体晶片的剥离力为1000mN/50mm以下。

技术领域

本发明涉及在通过先切割法制造半导体装置时粘贴于半导体晶片而使用的半导体加工用胶粘带、以及使用了该胶粘带的半导体装置的制造方法。

背景技术

在各种电子仪器的小型化、多功能化发展过程中，装载于其中的半导体芯片也同样地要求小型化、薄型化。为了实现芯片的薄型化，通常对半导体晶片的背面进行磨削来进行厚度调整。另外，也有利用被称为先切割法的方法，所述先切割法是在从晶片的表面侧形成了给定深度的槽之后，从晶片背面侧进行磨削，并利用该磨削将芯片单片化的方法。对于先切割法而言，由于可以同时进行晶片的背面磨削和芯片的单片化，因此，能够效率良好地制造薄型芯片。另外，在先切割法中，除了如上述那样的在晶片表面侧形成了给定深度的槽之后从晶片背面侧进行磨削的方法以外，还包括利用激光在晶片内部设置改性层，并利用晶片背面磨削时的压力等来进行芯片的单片化的方法。

以往，在半导体晶片的背面磨削时，为了对晶片表面的电路进行保护，并且对半导体晶片及单片化后的半导体芯片进行固定，通常在晶片表面粘贴被称为背磨胶带的胶粘带。作为在先切割法中使用的背磨胶带，已知具备基材、以及设置于基材的一面的粘合剂层的粘合片，其中，在基材的另一面侧还设置有缓冲层。

背磨胶带通过设置缓冲层，能够缓和在晶片背面磨削时产生的振动。另外，半导体晶片在背面磨削时通过使设置有背磨胶带的晶片表面侧吸附于夹具台而被固定于该台上，还能够通过缓冲层来吸收存在于台上的异物等引起的凹凸。背磨胶带利用以上的缓冲层的作用而防止了在背面磨削时产生的半导体晶片的破裂、芯片的缺损等。

另外，专利文献1公开了一种粘合片，其如上述那样具有基材、粘合剂层及缓冲层，其中，将基材的厚度设为10～150μm、且将其杨氏模量设为1000～30000MPa，并且将缓冲层的厚度设为5～80μm、且其动态粘弹性的tanδ最大值为0.5以上。专利文献1中公开了以下内容：通过将该粘合片用作背磨胶带，在通过先切割法制造半导体芯片时，可以防止芯片的缺损及变色。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-343997号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，近年来，半导体芯片的薄型化及小型化的要求正在进一步提高，例如，已经要求制造厚度低于50μm的半导体芯片、以及0.5mm见方程度的半导体芯片。在这样地制造小型化及薄型化的半导体芯片时，如专利文献1所记载那样，仅通过调整基材的杨氏模量及缓冲层的tanδ最大值，并将基材及缓冲层各自的厚度设定为一定的范围，有时难以抑制半导体芯片的缺损、龟裂等破损(芯片裂纹)。特别是，可知在从磨削后的晶片表面将表面保护胶带剥离时，会对前面所述那样的小型化及薄型化的半导体芯片施加大的负荷，从而成为芯片破损的原因。

本发明是鉴于以上问题而进行的，其课题在于，提供一种在先切割法中制造薄型化及小型化的半导体芯片这样的情况下也能够防止半导体芯片产生缺损或破损的半导体加工用胶粘带。

解决问题的方法