[发明专利]包含高支化高分子和金属微粒的非电解镀基底剂有效
| 申请号: | 201780012038.2 | 申请日: | 2017-02-16 |
| 公开(公告)号: | CN108699694B | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
| 发明(设计)人: | 小岛圭介;松山元信 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
| 主分类号: | C23C18/18 | 分类号: | C23C18/18;C08F226/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 马妮楠;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明的课题在于提供能形成具有高耐热性、且不包含腐蚀性原子的镀覆基底层、而且在其制造中还能实现低成本化的、可用于非电解镀的前处理工序的新的基底剂。作为解决手段,为一种基底剂,其是用于利用非电解镀处理在基材上形成金属镀膜的非电解镀基底剂,其包含(a)高支化聚合物以及(b)金属微粒,所述(a)高支化聚合物是由聚合性化合物与聚合引发剂C形成的聚合物构成的,所述聚合性化合物至少包含单体A和单体B,所述单体A在分子内具有2个以上自由基聚合性双键,所述单体B在分子内具有酰胺基和至少1个自由基聚合性双键,所述聚合引发剂C的量相对于该单体A的摩尔数为5~200摩尔%,该聚合物具有高度支化的聚合链,并且在该聚合链的末端带有前述聚合引发剂C的自由基开裂片段。 | ||
| 搜索关键词: | 包含 高支化 高分子 金属 微粒 电解 基底 | ||
【主权项】:
1.一种基底剂,其是用于利用非电解镀处理在基材上形成金属镀膜的非电解镀基底剂,其包含(a)高支化聚合物以及(b)金属微粒,所述(a)高支化聚合物是由聚合性化合物与聚合引发剂C形成的聚合物构成的,所述聚合性化合物至少包含单体A和单体B,所述单体A在分子内具有2个以上自由基聚合性双键,所述单体B在分子内具有酰胺基和至少1个自由基聚合性双键,所述聚合引发剂C的量相对于该单体A的摩尔数为5~200摩尔%,该聚合物具有至少包含下述式[1]、以及式[2]或式[3]表示的结构部分而构成的高度支化的聚合链,并且在该聚合链的末端带有前述聚合引发剂C的自由基开裂片段,
式中,R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地表示氢原子或可以包含选自醚键、酰胺键和酯键中的至少1个键的碳原子数1~10的烷基,A1表示单键或二价的有机基团,R7、R8和R9各自独立地表示氢原子或可以包含选自醚键、酰胺键和酯键中的至少1个键的碳原子数1~10的烷基,R10和R11各自独立地表示氢原子、可以包含选自醚键、酰胺键和酯键中的至少1个键的碳原子数1~10的烷基、或苯基,或者,R10与R11可以连在一起形成可以包含选自醚键、酰胺键和酯键中的至少1个键的碳原子数2~6的亚烷基,R12、R13和R14各自独立地表示氢原子或可以包含选自醚键、酰胺键和酯键中的至少1个键的碳原子数1~10的烷基,R15和R16各自独立地表示氢原子或可以包含选自醚键、酰胺键和酯键中的至少1个键的碳原子数1~10的烷基。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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