[发明专利]磁隧道结元件的制造方法以及感应耦合型等离子处理装置

摘要

提供运用了能抑制氢离子所引起的特性劣化且能确保蚀刻形状的RIE加工的磁隧道结元件的制造方法。生成多层膜，该多层膜具有磁性膜和氧化膜，磁性膜的厚度为2nm以下，且磁性膜和氧化膜在膜面方向上具有界面，在多层膜上形成进行了图案形成的掩模层，对形成了掩模层的多层膜使用氢气与氮气的混合气体作为反应气体来进行蚀刻，将氢气的流量相对于混合气体的流量的比设为50％以下。

主权项

1.一种磁隧道结元件的制造方法，其特征在于，形成多层膜，该多层膜具有：至少包含Co、Ni、Fe中的任意一种的第1磁性膜；和至少包含Mg、Zn、Al中的任意一种的氧化膜，所述第1磁性膜的厚度为2nm以下，且所述第1磁性膜和所述氧化膜在膜面方向上具有界面，在所述多层膜上形成进行了图案形成的掩模层，对形成了所述掩模层的所述多层膜使用氢气与氮气的混合气体作为反应气体来进行蚀刻，所述氢气的流量相对于所述混合气体的流量的流量比设为50％以下。