[发明专利]磁隧道结元件的制造方法以及感应耦合型等离子处理装置

权利要求书

1.一种磁隧道结元件的制造方法，其特征在于，具有：

形成多层膜的步骤，该多层膜具有厚度为2nm以下的第1磁性膜、和至少包含Mg、Zn、A1中的任意一种的氧化膜，所述第1磁性膜和所述氧化膜的界面是膜面方向；

在所述多层膜上形成进行了图案形成的掩模层的步骤；和

使用氢气与氮气的混合气体对所述多层膜进行等离子蚀刻的步骤，

所述氢气的流量相对于所述混合气体的流量之比为50％以下。

2.根据权利要求1所述的磁隧道结元件的制造方法，其特征在于，

所述第1磁性膜形成得比所述氧化膜更靠上方，

将所述氢气的流量相对于所述混合气体的流量之比设为第1流量比来对所述第1磁性膜进行等离子蚀刻，

将所述氢气的流量相对于所述混合气体的流量之比设为第2流量比来对所述氧化膜进行等离子蚀刻，

所述第1流量比下的所述第1磁性膜的蚀刻速率相对于所述掩模层的蚀刻速率之比高于所述第2流量比下的所述第1磁性膜的蚀刻速率相对于所述掩模层的蚀刻速率之比，

将所述第2流量比设为50％以下。

3.根据权利要求2所述的磁隧道结元件的制造方法，其特征在于，

所述多层膜包含形成于所述氧化膜的下方的第2磁性膜，

利用所述第2流量比对所述第2磁性膜进行等离子蚀刻。

4.根据权利要求1所述的磁隧道结元件的制造方法，其特征在于，

在所述混合气体中加入添加气体来进行所述多层膜的等离子蚀刻，

所述添加气体是至少包含He、Ne、Ar、Kr、Xe中的任意一种的稀有气体、或者至少包含CO、CO₂、O中的任意一种的气体。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的磁隧道结元件的制造方法，其特征在于，

所述第1磁性膜是CoFeB膜，所述氧化膜是MgO膜。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的磁隧道结元件的制造方法，其特征在于，

所述掩模层是Ta膜。

7.一种等离子处理装置，具备：

电抗器，对形成了多层膜的基板进行等离子处理，其中，该多层膜具有厚度为2nm以下的第1磁性膜、和至少包含Mg、Zn、Al中的至少一种的氧化膜，所述第1磁性膜和所述氧化膜的界面是膜面方向；

感应天线，产生感应磁场；

高频电源，向所述感应天线供给高频电力；

终点判定装置，通过监视等离子发光的变动来判定所述等离子处理的结束；以及

第1质量流控制器以及第2质量流控制器，向所述电抗器供给气体，

所述多层膜使用氢气和氮气的混合气体来进行等离子蚀刻，

所述氢气的流量通过所述第1质量流控制器基于来自所述终点判定装置的信号来控制，

所述氮气的流量通过所述第2质量流控制器基于来自所述终点判定装置的信号来控制，

基于来自所述终点判定装置的信号，将所述氢气的流量相对于所述混合气体的流量之比从第1流量比变更为第2流量比，

所述第2流量比为50％以下。

8.根据权利要求7所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述第1磁性膜形成在所述氧化膜的上方，

所述信号在所述终点判定装置检测到所述氧化膜时发送。

9.根据权利要求7所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述第1流量比下的所述第1磁性膜的蚀刻速率相对于在所述多层膜上进行了图案形成的掩模层的蚀刻速率之比高于所述第2流量比下的所述第1磁性膜的蚀刻速率相对于所述掩模层的蚀刻速率之比。