[发明专利]半导体激光光源装置在审

专利信息
申请号: 201780009106.X 申请日: 2017-02-02
公开(公告)号: CN108604766A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 吉野雅也 申请(专利权)人: 优志旺电机株式会社
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022;G01P5/20
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 任玉敏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种能够在PIV中抑制因示踪粒子的影导致测量结果的精度降低的技术。半导体激光光源装置具有:光源部,包含沿第一方向排列的多个发射极;以及透镜,将从多个发射极射出的激光转换为在第二方向上平行。透镜包含按照多个发射极的每一个,将从各个发射极射出的激光转换为在第二方向上平行的多个透镜区域。在多个发射极中的至少两个发射极和两个发射极所对应的两个透镜区域中,在以各个发射极在第二方向上的位置为基准时,发射极所对应的透镜区域在第二方向上的位置不同。
搜索关键词: 发射极 透镜区域 半导体激光光源 透镜 激光转换 射出 平行 方向排列 精度降低 示踪粒子 装置提供 光源部 基准时
【主权项】:
1.一种半导体激光光源装置,射出激光片,该激光片在第一方向上扩散,且在与上述第一方向正交的第二方向上具有一定的宽度地行进,其特征在于,上述半导体激光光源装置具有:光源部,包含沿上述第一方向排列的多个发射极;以及透镜,将从多个上述发射极射出的激光转换为在上述第二方向上平行,上述激光片通过将从上述透镜射出的平行光重合而形成,上述透镜包含按照多个上述发射极的每一个,将从各个上述发射极射出的上述激光转换为在上述第二方向上平行的多个透镜区域,在多个上述发射极中的至少两个上述发射极和两个上述发射极所对应的两个上述透镜区域中,在以各个上述发射极在上述第二方向上的位置为基准时,上述发射极所对应的上述透镜区域在上述第二方向上的位置不同。
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