[发明专利]复合基板及复合基板的制造方法有效
| 申请号： | 201780006333.7 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108702141B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次;丹野雅行 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在压电材料层和支承基板的贴合中能够得到充分的接合强度的复合基板及复合基板的制造方法。本发明提供一种复合基板，其具备：单晶支承基板，其以第一元素为主成分；氧化物单晶层，其设于单晶支承基板上，以除氧以外的第二元素为主成分；非晶质层，其设于单晶支承基板和氧化物单晶层之间，含有第一元素、第二元素及Ar，所述复合基板的特征在于，非晶质层具有：第一元素的比例比第二元素的比例高的第一非晶质区域和第二元素的比例比第一元素的比例高的第二非晶质区域，第一非晶质区域中所含的Ar的浓度比第二非晶质区域中所含的Ar的浓度高，且为3原子％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种复合基板，其特征在于，具备：单晶支承基板，其以第一元素为主成分；氧化物单晶层，其设于所述单晶支承基板上，以除氧以外的第二元素为主成分；以及非晶质层，其设于所述单晶支承基板和所述氧化物单晶层之间，含有所述第一元素、所述第二元素及Ar，所述非晶质层具有：所述第一元素的比例比所述第二元素的比例高的第一非晶质区域；以及所述第二元素的比例比所述第一元素的比例高的第二非晶质区域，所述第一非晶质区域中所含的Ar的浓度比所述第二非晶质区域中所含的Ar的浓度高，且为3原子％以上。
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