[发明专利]复合基板及复合基板的制造方法

权利要求书

1.一种复合基板，其特征在于，具备：

单晶支承基板，其以第一元素为主成分；

氧化物单晶层，其设于所述单晶支承基板上，以除氧以外的第二元素为主成分；以及

非晶质层，其设于所述单晶支承基板和所述氧化物单晶层之间，含有所述第一元素、所述第二元素及Ar，

所述单晶支承基板包括选自硅单晶基板及蓝宝石单晶基板中的一种，

所述氧化物单晶层含有选自钽酸锂及铌酸锂中的一种，

所述非晶质层具有：

所述第一元素的比例比所述第二元素的比例高的第一非晶质区域；以及

所述第二元素的比例比所述第一元素的比例高的第二非晶质区域，

所述第一非晶质区域中所含的Ar的浓度比所述第二非晶质区域中所含的Ar的浓度高，且为3原子％以上。

2.根据权利要求1所述的复合基板，其中，

所述第二非晶质区域中所含的Ar的浓度低于3原子％。

3.根据权利要求1所述的复合基板，其中，

所述氧化物单晶层的厚度为50μm以下。

4.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，

所述氧化物单晶层为单一极化。

5.一种复合基板的制造方法，其具备：

通过Ar将含有第一元素作为主成分的单晶支承基板的表面及以除氧之外的第二元素为主成分的氧化物单晶基板各自的表面活性化的工序；

将通过所述Ar而活性化了的所述单晶支承基板的表面和通过所述Ar而活性化了的所述氧化物单晶基板的表面贴合，在所述单晶支承基板和所述氧化物单晶基板之间形成含有所述第一元素、所述第二元素及Ar的非晶质层的工序；

将所述氧化物单晶基板的厚度减薄，形成氧化物单晶层的工序；以及

热处理工序，

所述单晶支承基板包括选自硅单晶基板及蓝宝石单晶基板中的一种，

所述氧化物单晶基板包含选自钽酸锂及铌酸锂中的一种，

所述非晶质层具有：

所述第一元素的比例比所述第二元素的比例高的第一非晶质区域；以及

所述第二元素的比例比所述第一元素的比例高的第二非晶质区域，

所述热处理工序包括：使所述第一非晶质区域中所含的的Ar的浓度比所述第二非晶质区域中所含的Ar的浓度高，且为3原子％以上。

6.根据权利要求5所述的复合基板的制造方法，其中，

所述热处理工序包括：使所述第二非晶质区域中所含的Ar的浓度低于3原子％。

7.根据权利要求5或6所述的复合基板的制造方法，其中，

所述热处理工序包括：将所述非晶质层加热至150℃以上。

8.根据权利要求5所述的复合基板的制造方法，其中，

形成所述氧化物单晶层的工序包括：将所述氧化物单晶基板的厚度设为50μm以下。

9.根据权利要求5所述的复合基板的制造方法，其中，

还具备在将所述单晶支承基板和所述氧化物单晶基板贴合之前，以所述氧化物单晶基板的规定深度实施离子注入的工序，

形成所述氧化物单晶层的工序包括：在所述离子注入的位置将所述氧化物单晶基板的一部分剥离。

10.根据权利要求5所述的复合基板的制造方法，其特征在于，

所述氧化物单晶基板为单一极化。

11.根据权利要求5所述的复合基板的制造方法，其特征在于，

还具备将所述复合基板的所述氧化物单晶层单一极化的工序。