[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201780006127.6 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108475700B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 中泽安孝;肥塚纯一;羽持贵士 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/088;H01L27/108;H01L27/146;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 董庆;张佳鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含铜，第一导电膜及第三导电膜包含抑制铜的扩散的材料，第二导电膜的端部包括包含铜及硅的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：晶体管，其中，所述晶体管包括：栅电极；所述栅电极上的第一绝缘膜；包括夹着所述第一绝缘膜与所述栅电极重叠的区域的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；以及所述氧化物半导体膜上、所述源电极上及所述漏电极上的第二绝缘膜，所述源电极及所述漏电极都包含铜，并且，所述源电极的端部及所述漏电极的端部都包括包含铜及硅的区域。
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