[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

晶体管，

其中，所述晶体管包括：

栅电极；

所述栅电极上的第一绝缘膜；

包括夹着所述第一绝缘膜与所述栅电极重叠的区域的氧化物半导体膜；

与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；

与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；以及

所述氧化物半导体膜上、所述源电极上及所述漏电极上的第二绝缘膜，

其中所述源电极及所述漏电极都包括第一导电膜、在所述第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在所述第二导电膜上并与其接触的第三导电膜，

其中所述第二导电膜包含铜，

其中所述第二导电膜的端部包括包含铜及硅的区域，

其中所述第一导电膜包括位于所述第二导电膜的端部的外侧的区域，

并且，所述第二导电膜的所述端部与所述第三导电膜的端部基本一致。

2.一种半导体装置，包括：

晶体管，

其中，所述晶体管包括：

栅电极；

所述栅电极上的第一绝缘膜；

包括夹着所述第一绝缘膜与所述栅电极重叠的区域的氧化物半导体膜；

与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；

与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；以及

所述氧化物半导体膜上、所述源电极上及所述漏电极上的第二绝缘膜，

其中所述源电极及所述漏电极都包括第一导电膜、在所述第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在所述第二导电膜上并与其接触的第三导电膜，

其中所述第二导电膜包含铜，

其中所述源电极的端部及所述漏电极的端部都包括具有包含铜及硅的化合物的区域

其中所述第一导电膜和所述第三导电膜都包括与所述第二导电膜的所述端部的区域重叠的区域，

并且，所述第二导电膜的所述端部的所述区域与所述第三导电膜的底面及所述第一导电膜的顶面接触。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中所述源电极的端部及所述漏电极的端部都包括与所述第二绝缘膜接触的区域。

4.一种半导体装置，包括：

晶体管，

其中所述晶体管包括：

栅电极；

所述栅电极上的第一绝缘膜；

包括夹着所述第一绝缘膜与所述栅电极重叠的区域的氧化物半导体膜；

与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；

与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；以及

所述氧化物半导体膜上、所述源电极上及所述漏电极上的第二绝缘膜，

其中所述源电极及所述漏电极都包括第一导电膜、在所述第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在所述第二导电膜上并与其接触的第三导电膜，

其中所述第二导电膜包含铜，

其中所述第二导电膜的端部包括具有包含铜及硅的化合物的区域，

其中所述第一导电膜包括位于所述第二导电膜的所述端部的外侧的区域，

并且，所述第二导电膜的所述端部与所述第三导电膜的端部基本一致。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述第二导电膜的端部包括与所述第二绝缘膜接触的区域。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述第一导电膜及所述第三导电膜包含钛、钨、钽和钼中的至少一个。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述第一导电膜及所述第三导电膜包含氧化物，

并且所述氧化物包含In和Zn中的至少一个。

8.根据权利要求1、2或4所述的半导体装置，

其中所述氧化物半导体膜包含In、Zn及M(M表示Al、Ga、Y或Sn)。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

其中所述氧化物半导体膜包括结晶部，

并且所述结晶部具有c轴取向性。