[发明专利]多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件有效

专利信息
申请号: 201780005781.5 申请日: 2017-02-10
公开(公告)号: CN108699727B 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 渡边守道;佐藤圭;仓冈义孝;今井克宏;七泷努 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: C30B29/38 分类号: C30B29/38;H01L31/0392;H01L33/32
代理公司: 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 代理人: 王轶;郑雪娜
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种多晶氮化镓自立基板,使用该基板制作发光元件或太阳能电池等器件时能得到高发光效率、高转换效率等优异特性。本发明的多晶氮化镓自立基板由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成,具有上表面和底面。所述上表面利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布,其平均倾斜角为0.1°以上且低于1°,并且在所述上表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT为10μm以上。
搜索关键词: 多晶 氮化 自立 使用 发光 元件
【主权项】:
1.一种多晶氮化镓自立基板,该多晶氮化镓自立基板由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成,其中,该多晶氮化镓自立基板具有上表面和底面,所述上表面利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布,其平均倾斜角为0.1°以上且低于1°,并且在所述上表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT为10μm以上。
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