[发明专利]多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件

权利要求书

1.一种多晶氮化镓自立基板，该多晶氮化镓自立基板由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成，其中，该多晶氮化镓自立基板具有上表面和底面，所述上表面利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为0.1°以上且0.7°以下，并且在所述上表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径D_T为10μm以上，在所述上表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径D_T相对于在底面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径D_B的比D_T/D_B大于1.0。

2.如权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其中，所述氮化镓系单晶粒子的倾斜角按照高斯分布来分布。

3.如权利要求1或2所述的多晶氮化镓自立基板，其中，所述多晶氮化镓自立基板在其大致法线方向具有单晶结构。

4.如权利要求1或2所述的多晶氮化镓自立基板，其中，在所述上表面露出的所述氮化镓系单晶粒子不夹隔晶界连通至所述底面。

5.如权利要求1或2所述的多晶氮化镓自立基板，其中，所述多晶氮化镓自立基板具有20μm以上的厚度。

6.如权利要求1或2所述的多晶氮化镓自立基板，其中，所述多晶氮化镓自立基板具有直径为50.8mm以上的尺寸。

7.如权利要求1或2所述的多晶氮化镓自立基板，其中，所述氮化镓系单晶粒子掺杂了n型掺杂物或者p型掺杂物。

8.如权利要求1或2所述的多晶氮化镓自立基板，其中，所述氮化镓系单晶粒子不含掺杂物。

9.如权利要求1或2所述的多晶氮化镓自立基板，其中，所述氮化镓系单晶粒子是混晶化的粒子。

10.如权利要求1或2所述的多晶氮化镓自立基板，其中，构成所述多晶氮化镓自立基板的所述氮化镓系单晶粒子的结晶方位在与基板法线方向正交的板表面方向上没有取向。

11.一种发光元件，包括：权利要求1～10中任一项所述的多晶氮化镓自立基板和发光功能层，该发光功能层形成于所述多晶氮化镓自立基板，具有一层以上在大致法线方向上具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。