[发明专利]液体组合物和使用其的半导体基板的表面处理方法有效
申请号: | 201780004391.6 | 申请日: | 2017-01-10 |
公开(公告)号: | CN108369907B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 原木优;岛田宪司 | 申请(专利权)人: | 三菱瓦斯化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C09K3/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供液体组合物和使用其的半导体基板的表面处理方法,所述液体组合物为对半导体基板材料赋予拒醇性的液体组合物,所述液体组合物包含:表面活性剂(A)0.01~15质量%,其具有式(1):(式中,n为3以上且20以下的整数。)所示的取代基和阴离子性亲水基团;和,化合物(B)0.0001~20质量%,其重均分子量为200以上且500000以下、且每1g具有4mmol以上且30mmol以下的氨基,所述化合物(B)为选自由聚乙烯亚胺、和具有式(2)或(3):(式中,R |
||
搜索关键词: | 液体 组合 使用 半导体 表面 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液体组合物,其为对半导体基板材料赋予拒醇性的液体组合物,所述液体组合物包含:表面活性剂(A)0.01~15质量%,其具有式(1)所示的取代基和阴离子性亲水基团:CnF2n+1—— (1)式(1)中,n为3以上且20以下的整数;和,化合物(B)0.0001~20质量%,其重均分子量为200以上且500000以下、且每1g具有4mmol以上且30mmol以下的氨基,所述化合物(B)为选自由聚乙烯亚胺、和具有式(2)或(3)所示的取代基的化合物组成的组:
式(2)中,R1和R2各自独立地为氢或碳数1~6的烷基、烯基、炔基或芳基,
式(3)中,R3和R4各自独立地为氢或碳数1~6的烷基、烯基、炔基或芳基,X‑为氟化物离子、氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子、氟硼酸根离子、磷酸根离子、乙酸根离子、三氟乙酸根离子、硫酸根离子、硫酸氢根离子、甲硫酸根离子、氢氧化物离子、高氯酸根离子或硝酸根离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱瓦斯化学株式会社,未经三菱瓦斯化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780004391.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶圆抛光方法及抛光装置
- 下一篇:双面研磨方法及双面研磨装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造