[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780003941.2 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN110268534B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张丽旸 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区金*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底(106)、键合金属层(105)、反射层(104)、第一导电层(101)、活性层(102)、第二导电层(103)、第一电极(107)、第二电极(108)。第一电极(107)从衬底(106)远离所述键合金属层(105)的一侧依次贯穿所述衬底(106)、键合金属层(105)、反射层(104)、第二导电层(103)以及活性层(102)并延伸至所述第一导电层(101)，与第一导电层(101)连接。第二电极(108)设置在衬底(106)远离所述键合金属层(105)的一侧。该半导体器件形成共用第二导电层(103)的结构，出光更均匀，光提取率更高，消除了像素单元间的干扰，发光波长的均匀性更好，流过不同像素单元的电流更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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