[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底(106)、键合金属层(105)、反射层(104)、第一导电层(101)、活性层(102)、第二导电层(103)、第一电极(107)、第二电极(108)。第一电极(107)从衬底(106)远离所述键合金属层(105)的一侧依次贯穿所述衬底(106)、键合金属层(105)、反射层(104)、第二导电层(103)以及活性层(102)并延伸至所述第一导电层(101)，与第一导电层(101)连接。第二电极(108)设置在衬底(106)远离所述键合金属层(105)的一侧。该半导体器件形成共用第二导电层(103)的结构，出光更均匀，光提取率更高，消除了像素单元间的干扰，发光波长的均匀性更好，流过不同像素单元的电流更加均匀。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，具体而言，涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

LED微显示技术是在芯片上集成高密度二维发光二极管阵列的全固体发光器件。相比其他微显示技术，LED微显示系统设计简单、可以减少整体系统体积、重量，制造成本低，同时兼顾低功耗、光能利用率高、响应速度快及工作温度范围宽、抗干扰能力强等优点。发明人发现，现有技术中，LED微显示芯片的发光波长一致性较差，光提取率较低。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

一种半导体器件，包括：衬底、键合金属层、反射层、第一导电层、活性层、第二导电层、至少一第一电极以及至少一第二电极；其中：

所述键合金属层设置在所述衬底的一侧；

所述反射层设置在所述键合金属层远离所述衬底的一侧；

所述第二导电层设置在所述反射层远离所述键合金属层的一侧；

所述活性层设置在所述第二导电层远离所述反射层的一侧；

所述第一导电层设置在所述活性层远离所述第二导电层的一侧；

所述第一电极从所述衬底远离所述键合金属层的一侧依次贯穿所述衬底、键合金属层、反射层、所述第二导电层以及活性层并延伸至所述第一导电层，与所述第一导电层连接，该第一电极与所述衬底、键合金属层、反射层、第二导电层以及活性层绝缘阻断；以及

所述第二电极设置在所述衬底远离所述键合金属层的一侧。

进一步地，所述半导体器件还包括：

至少一个从所述衬底贯通至所述第一导电层的填充槽，所述填充槽部分贯穿所述第一导电层，所述第一电极位于该填充槽内并与所述第一导电层连接；

所述填充槽的侧壁和第一电极之间具有绝缘材料以实现所述第一电极与所述衬底、键合金属层、反射层、第二导电层以及活性层之间的绝缘阻断。

进一步地，所述半导体器件还包括：设置于所述第一导电层远离所述活性层的一侧的至少贯通所述第一导电层和活性层的至少一个沟槽，所述沟槽将所述半导体器件分隔成不同的像素单元。

进一步地，所述沟槽的底部和侧壁上设置有绝缘层

进一步地，所述半导体器件还包括：

设置在所述第一导电层上的荧光粉层，所述荧光粉层采用量子点荧光粉制成。

进一步地，还包括：

所述第一电极在所述衬底远离所述键合金属层的一侧延伸形成与外部驱动电路连接的连接垫，每个连接垫与一个所述第一电极连接；

所述第二电极位于相邻两个连接垫之间并与该连接垫分离。

本发明还提供了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：