[发明专利]溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法有效
申请号: | 201780001627.0 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN107614747B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 岩田宽;根津敏幸;高桑勇太;冈田直弥;佐藤一平;柴田尚宪;桥本敬一 | 申请(专利权)人: | 京浜乐梦金属科技株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;H05H1/46 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 胡嵩麟;王海川 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 溅射阴极具有溅射靶,所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状且侵蚀面朝向内侧。使用该溅射阴极,在由溅射靶包围的空间的上方,使具有宽度比溅射靶的长边部窄的成膜区域的被成膜体与溅射靶的一端面平行地且沿与长边部垂直的方向以恒定速度移动,同时进行放电使得产生沿着溅射靶的内表面环绕的等离子体,利用由溅射气体产生的等离子体中的离子使溅射靶的长边部的内表面进行溅射,从而在被成膜体的成膜区域进行成膜。 | ||
搜索关键词: | 溅射 阴极 装置 成膜体 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种溅射装置,其特征在于,具有溅射阴极和阳极,所述溅射阴极具有溅射靶,所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状且侵蚀面朝向内侧,所述阳极以露出所述溅射靶的侵蚀面的方式设置,在由所述溅射靶包围的空间的上方,使具有宽度比所述溅射靶的所述长边部窄的成膜区域的被成膜体相对于所述溅射靶沿横切所述溅射靶的所述长边部的方向以恒定速度移动,同时进行放电使得产生沿着所述溅射靶的内表面环绕的等离子体,利用由溅射气体产生的等离子体中的离子使所述溅射靶的所述长边部的内表面进行溅射,由此在所述被成膜体的所述成膜区域进行成膜。
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