[发明专利]操作具有抹除去偏压的存储器的设备及方法有效
| 申请号： | 201780000915.4 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107810534B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 丹沢彻 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 操作存储器的方法包含：在抹除操作期间，分别在分别形成一串串联连接存储器单元中的第一群组的存储器单元及第二群组的存储器单元的沟道区域的第一半导体材料及第二半导体材料中形成第一电压电平及第二电压电平，同时将第三电压电平施加于所述第一群组的存储器单元的控制栅极且将第四电压电平施加于所述第二群组的存储器单元的控制栅极。设备包含一串串联连接存储器单元的不同群组的存储器单元及控制器，不同群组的存储器单元邻接具有第一导电类型的半导体材料的相应部分且由具有第二导电类型的半导体材料的部分与具有所述第一导电类型的所述半导体材料的邻接部分分离，所述控制器经配置以在抹除操作期间将相应且不同电压电平施加于相应不同群组的存储器单元中的存储器单元的控制栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 具有 除去 偏压 存储器 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种操作存储器的方法，其包括：在抹除操作期间于形成一串串联连接存储器单元中的第一群组的存储器单元的沟道区域的第一半导体材料中形成第一电压电平；当在所述第一半导体材料中形成所述第一电压电平时，在形成所述串串联连接存储器单元中的第二群组的存储器单元的沟道区域的第二半导体材料中形成小于所述第一电压电平的第二电压电平；及当在所述第一半导体材料中形成所述第一电压电平时且当在所述第二半导体材料中形成所述第二电压电平时，将第三电压电平施加于所述第一群组的存储器单元的控制栅极且将小于所述第三电压电平的第四电压电平施加于所述第二群组的存储器单元的控制栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780000915.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
