[实用新型]晶片载体有效
| 申请号: | 201721924862.9 | 申请日: | 2017-12-29 | 
| 公开(公告)号: | CN208980795U | 公开(公告)日: | 2019-06-14 | 
| 发明(设计)人: | Y·拉什科夫斯基;M·德什潘德;A·古拉里;S·克里希南;A·帕里克 | 申请(专利权)人: | 威科仪器有限公司 | 
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/687 | 
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 | 
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US | 
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| 摘要: | 本实用新型涉及一种晶片载体。如本文描述及主张的所述晶片载体包含被布置在顶表面上的33个凹穴。所述晶片载体经配置以与化学气相沉积装置结合使用,所述晶片载体包括:主体,其具有彼此相对地布置的顶表面及底表面;多个凹穴,其界定在所述晶片载体的所述顶表面中;改进之处包括:所述多个凹穴由总共33个凹穴构成,所述凹穴中的每一者沿着内圆、中间圆或外圆中的一者布置,且其中所述内圆相对于所述中间圆及所述外圆不对称地布置。 | ||
| 搜索关键词: | 晶片载体 凹穴 顶表面 内圆 外圆 化学气相沉积装置 本实用新型 彼此相对 不对称 界定 种晶 配置 改进 | ||
【主权项】:
                1.一种晶片载体,其经配置以与化学气相沉积装置结合使用,所述晶片载体包括:主体,其具有彼此相对地布置的顶表面及底表面;多个凹穴,其界定在所述晶片载体的所述顶表面中;改进之处包括:所述多个凹穴由总共33个凹穴构成,所述凹穴中的每一者沿着内圆、中间圆或外圆中的一者布置,且其中中心圆相对于所述中间圆及所述外圆不对称地配置。
            
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                    C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
                
            C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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