[实用新型]晶片载体有效
| 申请号: | 201721924862.9 | 申请日: | 2017-12-29 | 
| 公开(公告)号: | CN208980795U | 公开(公告)日: | 2019-06-14 | 
| 发明(设计)人: | Y·拉什科夫斯基;M·德什潘德;A·古拉里;S·克里希南;A·帕里克 | 申请(专利权)人: | 威科仪器有限公司 | 
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/687 | 
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 | 
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片载体 凹穴 顶表面 内圆 外圆 化学气相沉积装置 本实用新型 彼此相对 不对称 界定 种晶 配置 改进 | ||
1.一种晶片载体,其经配置以与化学气相沉积装置结合使用,所述晶片载体包括:
主体,其具有彼此相对地布置的顶表面及底表面;
多个凹穴,其界定在所述晶片载体的所述顶表面中;
改进之处包括:所述多个凹穴由总共33个凹穴构成,所述凹穴中的每一者沿着内圆、中间圆或外圆中的一者布置,且其中中心圆相对于所述中间圆及所述外圆不对称地配置。
2.根据权利要求1所述的晶片载体,其中:
所述多个凹穴中的五个凹穴围绕所述内圆布置;
所述多个凹穴中的十一个凹穴围绕所述中间圆布置;且
所述多个凹穴中的十七个凹穴围绕所述外圆布置。
3.根据权利要求2所述的晶片载体,其中所述内圆被所述中间圆包围,且其中所述中间圆被所述外圆包围。
4.根据权利要求1所述的晶片载体,其中所述顶表面包括675mm的直径。
5.根据权利要求1所述的晶片载体,其中所述顶表面包括695mm的直径。
6.根据权利要求1所述的晶片载体,其中所述顶表面包括705mm的直径。
7.根据权利要求1所述的晶片载体,其中所述顶表面包括716mm的直径。
8.根据权利要求1所述的晶片载体,其中所述顶表面包括720mm的直径。
9.根据权利要求1、2和4到8中任一者所述的晶片载体,其中所述多个凹穴各自包含100mm的凹穴直径。
10.根据权利要求1、2和4到8中任一者所述的晶片载体,其中所述多个凹穴各自包含具有760μm的深度的径向壁。
11.根据权利要求1所述的晶片载体,其进一步包括布置在所述底表面上的锁定特征。
12.根据权利要求11所述的晶片载体,其中所述锁定特征被布置在所述底表面的几何中心处。
13.根据权利要求12所述的晶片载体,其中所述锁定特征选自由花键、卡盘或键接配件构成的群组。
14.根据权利要求1所述的晶片载体,所述顶表面及所述底表面各自包括一直径,且其中所述顶表面的所述直径大于所述底表面的所述直径。
15.根据权利要求1所述的晶片载体,其中所述晶片载体经配置以用于金属氧化物化学气相沉积系统中。
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- 专利分类
 
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





