[实用新型]一种双向骤回型瞬态电压抑制器有效
申请号: | 201721917001.8 | 申请日: | 2017-12-31 |
公开(公告)号: | CN207624703U | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 吴昊;余晓明 | 申请(专利权)人: | 深圳傲威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/861 |
代理公司: | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人: | 韩国辉 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提出一种双向骤回型瞬态电压抑制器,包括P型衬底,P型衬底上具有N型外延层,N型外延层中具有N型隔离阱与P型隔离阱,N型隔离阱与P型隔离阱间隔设置,其中,N型隔离阱与P型隔离阱之间设有P+隔离阱。P型衬底的电阻率为10~50MΩ·cm,N型外延层的电阻率为0.1~10Ω·cm,其厚度为5~20μm。该双向骤回型瞬态电压抑制器在N‑well和P‑well之间插入一个P+,这个双向瞬态抑制电压器的击穿电压取决于N‑well/P+,而不是N‑well/P‑well,这样会让维持电压变低,该分割技术能有效的减少单向TVS管中寄生NPN和PNP晶体管发射极的注入效率,箝位电压小于常规TVS单管的箝位电压。 | ||
搜索关键词: | 隔离阱 瞬态电压抑制器 衬底 回型 箝位电压 电阻率 本实用新型 击穿电压 间隔设置 双向瞬态 维持电压 注入效率 寄生NPN 电压器 发射极 单管 分割 | ||
【主权项】:
1.一种双向骤回型瞬态电压抑制器,包括P型衬底,P型衬底上具有N型外延层,N型外延层中具有N型隔离阱与P型隔离阱,N型隔离阱与P型隔离阱间隔设置,其特征在于,N型隔离阱与P型隔离阱之间设有P+隔离阱。
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