[实用新型]一种双向骤回型瞬态电压抑制器有效

申请号：	201721917001.8	申请日：	2017-12-31
公开（公告）号：	CN207624703U	公开（公告）日：	2018-07-17
发明（设计）人：	吴昊;余晓明	申请（专利权）人：	深圳傲威半导体有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L29/861
代理公司：	上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298	代理人：	韩国辉
地址：	518000 广东省深圳市宝***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	隔离阱瞬态电压抑制器衬底回型箝位电压电阻率本实用新型击穿电压间隔设置双向瞬态维持电压注入效率寄生NPN 电压器发射极单管分割
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【说明书】：

本实用新型提出一种双向骤回型瞬态电压抑制器，包括P型衬底，P型衬底上具有N型外延层，N型外延层中具有N型隔离阱与P型隔离阱，N型隔离阱与P型隔离阱间隔设置，其中，N型隔离阱与P型隔离阱之间设有P+隔离阱。P型衬底的电阻率为10～50MΩ·cm，N型外延层的电阻率为0.1～10Ω·cm，其厚度为5～20μm。该双向骤回型瞬态电压抑制器在N‑well和P‑well之间插入一个P+，这个双向瞬态抑制电压器的击穿电压取决于N‑well/P+，而不是N‑well/P‑well，这样会让维持电压变低，该分割技术能有效的减少单向TVS管中寄生NPN和PNP晶体管发射极的注入效率，箝位电压小于常规TVS单管的箝位电压。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件，尤其涉及一种双向骤回型瞬态电压抑制器。

背景技术

目前市场上双向瞬态电压抑制器普遍结构如图1所示，不管是纵向结构还是横向结构，都是简单的NPN或者PNP，这种普通的双向瞬态电压抑制器的测试曲线如图2中a曲线所示，属于正常的双向二极管的击穿曲线。这种简单的NPN或PNP结构设计存在不足之处：

1、维持电压(V_hold)等于击穿电压Vbr，电压值偏大；

2、箝位电压Vclamp偏大。

因此，有必要对这种双向瞬态电压抑制器进行结构优化，以克服上述缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种双向骤回型瞬态电压抑制器，以保持击穿电压不变，让维持电压值小于击穿电压，降低器件的箝位电压。

本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种双向骤回型瞬态电压抑制器，包括P型衬底，P型衬底上具有N型外延层，N型外延层中具有N型隔离阱与P型隔离阱，N型隔离阱与P型隔离阱间隔设置，其中，N型隔离阱与P型隔离阱之间设有P+隔离阱。

P型衬底的电阻率为10～50MΩ·cm，N型外延层的电阻率为0.1～10Ω·cm，其厚度为5～20μm。