[实用新型]一种具有VCC端口的低电容瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201721916989.6 | 申请日： | 2017-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN207664045U | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;余晓明 | 申请（专利权）人： | 深圳傲威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提出一种具有VCC端口的低电容瞬态电压抑制器，包括衬底，衬底上具有与之类型相反的外延层，外延层上具有VCC端口与I/O端口，其中，VCC端口与I/O端口之间相互隔离；衬底为P型衬底，外延层为N型外延层，衬底的电阻率为10～50MΩ·cm，外延层的电阻率大于250Ω·cm，厚度为5～20μm。该瞬态电压抑制器的VCC和I/O之间相互隔离，不做金属互连，没有电流通路，能避免I/O与VCC之间的低压浪涌冲击，有利于减少故障，延长使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 外延层 瞬态电压抑制器 低电容 电阻率 隔离 延长使用寿命 本实用新型 电流通路 金属互连 浪涌冲击 | ||
【主权项】：
1.一种具有VCC端口的低电容瞬态电压抑制器，包括衬底，衬底上具有与之类型相反的外延层，外延层上具有VCC端口与I/O端口，其特征在于，VCC端口与I/O端口之间相互隔离；所述衬底为P型衬底，外延层为N型外延层，衬底的电阻率为10～50MΩ·cm，外延层的电阻率大于250Ω·cm，厚度为5～20μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳傲威半导体有限公司，未经深圳傲威半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721916989.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种功率模块封装结构
- 下一篇：一种封装结构和柔性显示屏
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
