[实用新型]一种溅射腔室及物理气相沉积设备

摘要

本实用新型公开了一种溅射腔室及物理气相沉积设备，属于半导体制造技术领域，包括腔室壁，其内部固定有一盖环；基座，用于承载晶圆，基座设置于盖环的下方；圆筒状的托举装置，围绕基座设置，托举装置的内壁上设置一环形的台阶；基座具有相对伸出于托举装置的沉积位置，和位于托举装置内的冷却位置，冷却位置低于沉积位置；基座处于沉积位置时，盖环覆盖晶圆的边缘；基座处于冷却位置时，基座的上端面位于托举装置的顶部和台阶之间。上述技术方案的有益效果是：给基座增设一冷却位置，于气相沉积完成后，基座由沉积位置下降至冷却位置使晶圆与盖环脱离，避免晶圆与盖环连接处的沉积物在冷却后造成晶圆与盖环的粘连，进而避免晶圆破片。

主权项

1.一种溅射腔室，应用于物理气相沉积设备中，其特征在于，包括：腔室壁，于所述腔室壁内固定有一盖环；基座，用于承载待处理的晶圆，所述基座对应于所述盖环设置于所述盖环的下方；一圆筒状的托举装置，围绕所述基座设置，于所述托举装置的内壁上设置一环形的台阶，所述托举装置的顶部与所述台阶之间具有一高度差；所述基座具有相对伸出于所述托举装置的沉积位置，以及位于所述托举装置内的冷却位置，所述冷却位置低于所述沉积位置；于所述基座处于所述沉积位置时，所述盖环覆盖待处理的晶圆的边缘；于所述基座处于所述冷却位置时，所述基座的上端面位于所述托举装置的顶部和所述台阶之间。