[实用新型]一种溅射腔室及物理气相沉积设备有效
| 申请号： | 201721905399.3 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN208308944U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 沈开春;陈勇;刘艺 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 盖环 晶圆 冷却位置 托举装置 沉积位置 物理气相沉积设备 溅射腔室 沉积物 半导体制造技术 本实用新型 内部固定 气相沉积 腔室壁 上端面 圆筒状 粘连 内壁 破片 冷却 承载 伸出 增设 脱离 覆盖 | ||
1.一种溅射腔室，应用于物理气相沉积设备中，其特征在于，包括：
腔室壁，于所述腔室壁内固定有一盖环；
基座，用于承载待处理的晶圆，所述基座对应于所述盖环设置于所述盖环的下方；
一圆筒状的托举装置，围绕所述基座设置，于所述托举装置的内壁上设置一环形的台阶，所述托举装置的顶部与所述台阶之间具有一高度差；
所述基座具有相对伸出于所述托举装置的沉积位置，以及位于所述托举装置内的冷却位置，所述冷却位置低于所述沉积位置；
于所述基座处于所述沉积位置时，所述盖环覆盖待处理的晶圆的边缘；
于所述基座处于所述冷却位置时，所述基座的上端面位于所述托举装置的顶部和所述台阶之间。
2.如权利要求1所述的溅射腔室，其特征在于，还包括：
溅射源，对应于所述基座设置于所述腔室壁的顶部。
3.如权利要求2所述的溅射腔室，其特征在于，还包括：
屏蔽装置，呈圆筒状，所述屏蔽装置的顶端围绕所述溅射源固定于所述腔室壁上；
所述屏蔽装置的底端包括一朝向所述屏蔽装置的内部向上折回的折回部；
于所述基座处于所述沉积位置时，所述基座位于所述折回部内，并且所述折回部的顶端与所述基座的上端面位于同一水平面。
4.如权利要求3所述的溅射腔室，其特征在于，所述盖环固定于所述折回部上；
于所述基座处于所述沉积位置时，所述盖环、屏蔽装置、腔室壁与待处理的晶圆构成一封闭腔体。
5.如权利要求4所述的溅射腔室，其特征在于，所述盖环的底部设置有一环形的沟槽；
所述沟槽与所述折回部的顶端适配，并且所述沟槽套设于所述折回部的顶端上以将所述盖环固定于所述折回部上。
6.如权利要求1所述的溅射腔室，其特征在于，还包括：
加热装置，设置于所述基座内。
7.如权利要求6所述的溅射腔室，其特征在于，所述加热装置为电阻式加热元件。
8.如权利要求6所述的溅射腔室，其特征在于，所述加热装置为红外加热元件。
9.一种物理气相沉积设备，其特征在于，包括如权利要求1-8中任意一项所述的溅射腔室。
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