[实用新型]一种绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 201721830403.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207624704U | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陆江;刘海南;蔡小五;卜建辉;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供的一种绝缘栅双极晶体管，涉及半导体器件领域，包括：通过N+发射极，Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+发射极的下方，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；载流子存储层，所述载流子存储层位于所述Pwell区域的下方，且，所述载流子存储层设置在所述第一槽栅和所述第二槽栅之间；P注入层，所述P注入层位于所述第一槽栅和所述第二槽栅的下方；在无圆胞区域引入肖特基接触的空穴阻挡结构。解决了现有技术中的绝缘栅双极晶体管载流子存储层技术浓度提高后，导致绝缘栅双极晶体管耐压降低的技术问题，达到了在大幅度降低导通压降同时，能够维持原有的耐压能力，从而全面提升器件的各项参数能力的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘栅双极晶体管 载流子存储层 第二槽 第一槽 发射极 漂移区 半导体器件领域 肖特基接触 导通压降 技术效果 空穴阻挡 耐压能力 提升器件 原有的 耐压 引入 申请 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：N+发射极，Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+发射极的下方，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；载流子存储层，所述载流子存储层位于所述Pwell区域的下方，且，所述载流子存储层设置在所述第一槽栅和所述第二槽栅之间；P注入层，所述P注入层位于所述第一槽栅和所述第二槽栅的下方，其中，所述晶体管还包括：在无圆胞区域引入肖特基接触的空穴阻挡结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721830403.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双向骤回型瞬态电压抑制器
- 下一篇：低导通电阻大功率MOS器件
- 同类专利
- 专利分类
