[实用新型]一种绝缘栅双极晶体管

说明书

本申请提供的一种绝缘栅双极晶体管，涉及半导体器件领域，包括：通过N+发射极，Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+发射极的下方，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；载流子存储层，所述载流子存储层位于所述Pwell区域的下方，且，所述载流子存储层设置在所述第一槽栅和所述第二槽栅之间；P注入层，所述P注入层位于所述第一槽栅和所述第二槽栅的下方；在无圆胞区域引入肖特基接触的空穴阻挡结构。解决了现有技术中的绝缘栅双极晶体管载流子存储层技术浓度提高后，导致绝缘栅双极晶体管耐压降低的技术问题，达到了在大幅度降低导通压降同时，能够维持原有的耐压能力，从而全面提升器件的各项参数能力的技术效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件领域，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管。

背景技术

绝缘栅双极晶体管是目前高压、大电流领域核心功率半导体器件之一。为了不断改善器件特性，实现器件的最佳参数性能，减小器件导通态饱和压降是最主要的优化努力方向之一。

但本申请实用新型人在实现本申请实施例中实用新型技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

现有技术中的绝缘栅双极晶体管载流子存储层技术浓度提高后，导致绝缘栅双极晶体管耐压降低。

实用新型内容

本申请实施例通过提供一种绝缘栅双极晶体管，解决了现有技术中的绝缘栅双极晶体管载流子存储层技术浓度提高后，导致绝缘栅双极晶体管耐压降低的技术问题，达到了在大幅度降低导通压降同时，能够维持原有的耐压能力，从而全面提升器件的各项参数能力的技术效果。

鉴于上述问题，提出了本申请实施例以便提供一种克服上述问题的一种绝缘栅双极晶体管，包括：N+发射极，Pwell区域，所述Pwell区域位于所述 N+发射极的下方，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；载流子存储层，所述载流子存储层位于所述Pwell区域的下方，且，所述载流子存储层设置在所述第一槽栅和所述第二槽栅之间；P注入层，所述P注入层位于所述第一槽栅和所述第二槽栅的下方，其中，所述晶体管还包括：在无圆胞区域引入肖特基接触的空穴阻挡结构。

优选的，所述晶体管还包括：所述P注入层形成接地电势。

优选的，所述晶体管还包括：所述肖特基接触与N+发射极的金属连接，形成接地。

优选的，所述晶体管还包括：在所述无圆胞区域所对应N+发射极中，所述N+发射极包括第一氧化层和第二氧化层，其中，所述第一氧化层和第二氧化层之间为与所述肖特基接触的金属。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

1.本申请实施例提供的一种绝缘栅双极晶体管，通过N+发射极，Pwell 区域，所述Pwell区域位于所述N+发射极的下方，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；载流子存储层，所述载流子存储层位于所述Pwell区域的下方，且，所述载流子存储层设置在所述第一槽栅和所述第二槽栅之间；P注入层，所述P 注入层位于所述第一槽栅和所述第二槽栅的下方，其中，所述晶体管还包括：在无圆胞区域引入肖特基接触的空穴阻挡结构。解决了现有技术中的绝缘栅双极晶体管载流子存储层技术浓度提高后，导致绝缘栅双极晶体管耐压降低的技术问题，达到了在大幅度降低导通压降同时，能够维持原有的耐压能力，从而全面提升器件的各项参数能力的技术效果。

2.本申请实施例通过所述P注入层形成接地电势，进一步达到了对高浓度N型载流子存储层实现屏蔽效果，故也不需要选择选择过高的P注入区域浓度，不会对电子注入带来影响的技术效果。