[实用新型]一种高可靠高压二极管有效

专利信息
申请号: 201721824609.6 申请日: 2017-12-22
公开(公告)号: CN207719220U 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 黄小锋 申请(专利权)人: 常州星海电子股份有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L29/06;H01L23/29;H01L21/329
代理公司: 常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙) 32294 代理人: 杨闯
地址: 213000*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种高可靠高压二极管,包括晶圆本体,所述晶圆本体从上至下依次包括P+区、N区以及N+区,所述P+区的四周设有上沟槽,所述N+区的四周设有下沟槽,所述上沟槽从P+区延伸至N区,所述P+区的上表面设有第一镍层,所述N+区的下表面设有第二镍层,所述上沟槽与下沟槽的表面均设有SIPOS钝化保护层,所述SIPOS钝化保护层的表面设有玻璃钝化保护层,所述上沟槽的深度大于下沟槽的深度,本实用新型通过双沟槽、双面SIPOS钝化保护层以及双面玻璃钝化保护层的方式,提高了产品的可靠性,避免了产品在玻璃钝化后发生单向卷曲的情况,提高了反向电压均值以及反向电压的一致性。
搜索关键词: 钝化保护层 上沟槽 下沟槽 本实用新型 高压二极管 反向电压 晶圆本体 高可靠 玻璃钝化保护层 玻璃钝化 从上至下 第二镍层 第一镍层 双面玻璃 上表面 双沟槽 下表面 卷曲 延伸
【主权项】:
1.一种高可靠高压二极管,其特征在于:包括晶圆本体,所述晶圆本体从上至下依次包括P+区、N区以及N+区,所述P+区的四周设有上沟槽,所述N+区的四周设有下沟槽,所述上沟槽从P+区延伸至N区,所述P+区的上表面设有第一镍层,所述N+区的下表面设有第二镍层,所述上沟槽与下沟槽的表面均设有SIPOS钝化保护层,所述SIPOS钝化保护层的表面设有玻璃钝化保护层,所述上沟槽的深度大于下沟槽的深度。
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