[实用新型]新型功率半导体器件有效
| 申请号： | 201721586503.7 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN207398129U | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 刘坚 | 申请（专利权）人： | 福建合顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350018 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型功率半导体器件，解决了使用寿命短的问题，其技术方案要点是包括MOS管本体，所述MOS管本体具有栅极端口、源极端口和漏极端口，所述MOS管本体上还设置有隔离槽，所述隔离槽设置在栅极端口、源极端口和漏极端口的周围，所述隔离槽内插接有绝缘板，所述绝缘板隔离栅极端口、源极端口和漏极端口，所述MOS管本体上还设置有多个散热件，所述散热件包括方形的底座和多个竖直设置于底座上的散热片，散热片上设置有多个散热孔。达到了多重防护的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种新型功率半导体器件，包括MOS管本体(1)，所述MOS管本体(1)具有栅极端口(11)、源极端口(12)和漏极端口(13)，其特征在于：所述MOS管本体(1)上还设置有隔离槽(2)，所述隔离槽(2)设置在栅极端口(11)、源极端口(12)和漏极端口(13)的周围，所述隔离槽(2)内插接有绝缘板(3)，所述绝缘板(3)隔离栅极端口(11)、源极端口(12)和漏极端口(13)，所述MOS管本体(1)上还设置有多个散热件(4)，所述散热件(4)包括方形的底座(41)和多个竖直设置于底座(41)上的散热片(42)，散热片(42)上设置有多个散热孔(43)。
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