[实用新型]一种功率半导体集成式封装用陶瓷模块

摘要

本实用新型公开一种功率半导体集成式封装用陶瓷模块，包括陶瓷基板和一体式金属围坝层；该陶瓷基板的下表面设有导电线路层、绝缘层和散热层；该陶瓷基板的上表面设有正极焊盘、负极焊盘和固晶区；且陶瓷基板上设置有垂直导通孔。通过在陶瓷基板上表面设置一体式金属围坝，与固晶区围构成凹形腔室，可实现半导体芯片的气密性封装；通过在陶瓷基板的下表面设置散热层，可把半导体芯片产生的热量快速向外部传导；通过设置导电线路层及垂直导通孔，可在陶瓷基板的下表面实现多芯片的串并联连接。本实用新型可实现功率半导体的多芯片集成式封装，具有热电分离良好、气密性高、热阻低、结构紧凑等优点，且生产工艺简单，产品一致性高。

主权项

1.一种功率半导体集成式封装用陶瓷模块，其特征在于：包括有陶瓷基板以及一体式金属围坝层；该陶瓷基板的下表面设置有导电线路层、绝缘层和散热层，该绝缘层完全覆盖住导电线路层，该散热层位于非导电线路层的区域上并与导电线路层间隔分开，散热层的厚度不低于导电线路层及绝缘层的总厚度；该陶瓷基板的上表面设置有正极焊盘、负极焊盘和多个固晶区，每一固晶区上均具有连接层和固晶层，该连接层和固晶层彼此间隔分开；且陶瓷基板上设置有垂直导通孔，垂直导通孔电连接于固晶区与导电线路层之间以及导电线路层与正极焊盘、负极焊盘之间，所述垂直导通孔采用外部金属填充或者电镀铜填充；该一体式金属围坝层设置于陶瓷基板的上表面上，一体式金属围坝层环绕于单个或者多个固晶区的周围并与固晶区间隔分开，一体式金属围坝层的厚度大于固晶区的厚度。