[实用新型]等离子体处理装置有效
申请号: | 201721533870.0 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN207638963U | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 崔正秀;朴宇钟 | 申请(专利权)人: | INVENIA有限公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本实用新型的实施例中的等离子体处理装置包含:收容被处理基板的处理室、与被收容在所述处理室内的所述被处理基板相对地配置的天线结构体及在所述天线结构体和所述处理室之间配置的窗,所述天线结构体包含由天线导线在与所述窗的上面相对的两个不同的虚拟平面之间以螺旋状形成的天线部,所述天线部形成为,其所述两个不同的虚拟平面之间的距离为在所述两个不同的虚拟平面中与所述窗邻近的平面和所述窗的下面之间的距离的两倍以上。 | ||
搜索关键词: | 天线结构体 虚拟平面 等离子体处理装置 被处理基板 配置的 天线部 收容 本实用新型 天线导线 螺旋状 邻近 室内 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包含:处理室,收容被处理基板;天线结构体,与被收容在所述处理室内的所述被处理基板相对地配置;及窗,配置在所述天线结构体和所述处理室之间,所述天线结构体包含由天线导线在与所述窗的上面相对的两个不同的虚拟平面之间以螺旋状形成的天线部,所述天线部形成为,其所述两个不同的虚拟平面之间的距离为在所述两个不同的虚拟平面中与所述窗邻近的平面和所述窗的下面之间的距离的两倍以上。
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